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NTMFS4983NFT3G

NTMFS4983NFT3G

僅供參考

型號 NTMFS4983NFT3G
PNEDA編號 NTMFS4983NFT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 980,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4983NFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4983NFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4983NFT3G, NTMFS4983NFT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 84.54 KB)
PDFNTMFS4983NFT3G數據表 封面
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NTMFS4983NFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta), 106A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3250pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3350pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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