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NTMFS4C029NT3G

NTMFS4C029NT3G

僅供參考

型號 NTMFS4C029NT3G
PNEDA編號 NTMFS4C029NT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4C029NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4C029NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTMFS4C029NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 46A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.88mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds987pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 270mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

426pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

34pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

249nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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