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NTMFS4C06NT1G

NTMFS4C06NT1G

僅供參考

型號 NTMFS4C06NT1G
PNEDA編號 NTMFS4C06NT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4C06NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4C06NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4C06NT1G, NTMFS4C06NT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 138.73 KB)
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NTMFS4C06NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1683pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)770mW (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1674pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 11A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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