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NTMFS4C10NAT3G

NTMFS4C10NAT3G

僅供參考

型號 NTMFS4C10NAT3G
PNEDA編號 NTMFS4C10NAT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4C10NAT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4C10NAT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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NTMFS4C10NAT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16.4A (Ta), 46A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds987pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6655pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

262pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

750V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

328pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.95A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

790mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 5V

FET功能

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功耗(最大值)

400mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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