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NTMFS4H01NT1G

NTMFS4H01NT1G

僅供參考

型號 NTMFS4H01NT1G
PNEDA編號 NTMFS4H01NT1G
描述 MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $2.3453
250 ---------- $2.2354
500 ---------- $2.1255
1,000 ---------- $2.0155
2,500 ---------- $1.9239
5,000 ---------- $1.8323
庫存 134
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4H01NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4H01NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4H01NT1G, NTMFS4H01NT1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 140.47 KB)
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NTMFS4H01NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)54A (Ta), 334A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs85nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5693pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)3.2W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta), 6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1239pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 13.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-223

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta), 46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 8.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (5x6) Single Die

包裝/箱

8-PowerVDFN

HUFA75337P3

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

UltraFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

109nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1775pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

175W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

IRFR3303CPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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91W (Tc)

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