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NTMFS6B03NT1G

NTMFS6B03NT1G

僅供參考

型號 NTMFS6B03NT1G
PNEDA編號 NTMFS6B03NT1G
描述 MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS6B03NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS6B03NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS6B03NT1G, NTMFS6B03NT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 128.89 KB)
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NTMFS6B03NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Ta), 132A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs58nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)3.4W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.66nC @ 4.5V

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

100mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.63Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

245W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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