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NTMFS6H800NLT1G

NTMFS6H800NLT1G

僅供參考

型號 NTMFS6H800NLT1G
PNEDA編號 NTMFS6H800NLT1G
描述 FET 80V 224A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS6H800NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS6H800NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS6H800NLT1G, NTMFS6H800NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 149.86 KB)
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  • NTMFS6H800NLT1G Distributor

NTMFS6H800NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

422pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1996pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

87W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

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FET功能

-

功耗(最大值)

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