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NTMS4503NR2G

NTMS4503NR2G

僅供參考

型號 NTMS4503NR2G
PNEDA編號 NTMS4503NR2G
描述 MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMS4503NR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMS4503NR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMS4503NR2G, NTMS4503NR2G數據表 (總頁數: 5, 大小: 63.01 KB)
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NTMS4503NR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)28V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2400pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)930mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

455nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

580W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227B

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

NVMYS3D3N06CLTWG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta), 133A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

4-LFPAK

包裝/箱

SOT-1023, 4-LFPAK

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1797pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (3x3)

包裝/箱

8-VQFN Exposed Pad

制造商

IXYS

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1690pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

92W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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