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NTMSD2P102LR2

NTMSD2P102LR2

僅供參考

型號 NTMSD2P102LR2
PNEDA編號 NTMSD2P102LR2
描述 MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMSD2P102LR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMSD2P102LR2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMSD2P102LR2, NTMSD2P102LR2數據表 (總頁數: 9, 大小: 95.86 KB)
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NTMSD2P102LR2規格

制造商ON Semiconductor
系列FETKY™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 16V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)710mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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