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NTPF110N65S3HF

NTPF110N65S3HF

僅供參考

型號 NTPF110N65S3HF
PNEDA編號 NTPF110N65S3HF
描述 SUPERFET3 650V FRFET,110M
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTPF110N65S3HF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTPF110N65S3HF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTPF110N65S3HF, NTPF110N65S3HF數據表 (總頁數: 9, 大小: 229.78 KB)
PDFNTPF110N65S3HF數據表 封面
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NTPF110N65S3HF規格

制造商ON Semiconductor
系列FRFET®, SuperFET® III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 740µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2635pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)240W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

82mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

845pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

135A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 104A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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