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NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G

僅供參考

型號 NTRV4101PT1G
PNEDA編號 NTRV4101PT1G
描述 MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTRV4101PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTRV4101PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTRV4101PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds675pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)420mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

512pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

66W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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