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NTS10120MFST1G

NTS10120MFST1G

僅供參考

型號 NTS10120MFST1G
PNEDA編號 NTS10120MFST1G
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 10A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTS10120MFST1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTS10120MFST1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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NTS10120MFST1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果820mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 250mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.9ns

當前-反向泄漏@ Vr

9µA @ 100V

電容@ Vr,F

39pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

42pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

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