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NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G

僅供參考

型號 NTZD5110NT1G
PNEDA編號 NTZD5110NT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 311,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTZD5110NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTZD5110NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTZD5110NT1G, NTZD5110NT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 116.78 KB)
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NTZD5110NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)294mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds24.5pF @ 20V
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 13.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 15V

功率-最大

1.09W, 1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 110µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

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