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NUS2401SNT1G

NUS2401SNT1G

僅供參考

型號 NUS2401SNT1G
PNEDA編號 NUS2401SNT1G
描述 TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NUS2401SNT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NUS2401SNT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NUS2401SNT1G, NUS2401SNT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 134.06 KB)
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NUS2401SNT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)175Ohms, 10kOhms
電阻-發射極基(R2)175Ohms, 10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大350mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SC-74

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

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4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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功率-最大

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電阻-基本(R1)

22kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms, 22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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