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NVATS5A108PLZT4G

NVATS5A108PLZT4G

僅供參考

型號 NVATS5A108PLZT4G
PNEDA編號 NVATS5A108PLZT4G
描述 MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVATS5A108PLZT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVATS5A108PLZT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVATS5A108PLZT4G, NVATS5A108PLZT4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 823.52 KB)
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NVATS5A108PLZT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)77A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs79.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3850pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)72W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ATPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2297pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

310nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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