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NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLT1G

僅供參考

型號 NVMFD5483NLT1G
PNEDA編號 NVMFD5483NLT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5483NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5483NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5483NLT1G, NVMFD5483NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 133.57 KB)
PDFNVMFD5483NLWFT1G數據表 封面
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NVMFD5483NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds668pF @ 25V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA (Ta), 590mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

300mW, 270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1540pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A, 880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.35V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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