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NVMFD5483NLWFT3G

NVMFD5483NLWFT3G

僅供參考

型號 NVMFD5483NLWFT3G
PNEDA編號 NVMFD5483NLWFT3G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5483NLWFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5483NLWFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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  • NVMFD5483NLWFT3G Distributor

NVMFD5483NLWFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds668pF @ 25V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.07nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

161pF @ 15V

功率-最大

760mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 15V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

178nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10500pF @ 25V

功率-最大

170W

工作溫度

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