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NVMFD5875NLWFT1G

NVMFD5875NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5875NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5875NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5875NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5875NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5875NLWFT1G, NVMFD5875NLWFT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 132.09 KB)
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NVMFD5875NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds540pF @ 25V
功率-最大3.2W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

455mA (Ta), 328mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V

功率-最大

300mW

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安裝類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

431pF @ 15V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

1.65W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 25V

功率-最大

2.4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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235mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

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