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NVMFD5875NLWFT3G

NVMFD5875NLWFT3G

僅供參考

型號 NVMFD5875NLWFT3G
PNEDA編號 NVMFD5875NLWFT3G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5875NLWFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5875NLWFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5875NLWFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds540pF @ 25V
功率-最大3.2W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1286pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

700mW, 1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

562nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15200pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.42V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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