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NVMFD5C446NWFT1G

NVMFD5C446NWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C446NWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5C446NWFT1G
描述 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C446NWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C446NWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5C446NWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Ta), 127A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2450pF @ 25V
功率-最大3.2W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

193A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 6mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

378nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6300pF @ 1000V

功率-最大

925W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FDMB3900N

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA, 350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

功率-最大

446mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA, 500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

功率-最大

380mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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包裝/箱

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