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NVMFD5C466NWFT1G

NVMFD5C466NWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C466NWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5C466NWFT1G
描述 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C466NWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C466NWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5C466NWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta), 49A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
功率-最大3W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

303A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1105pF @ 25V

功率-最大

43W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount, Wettable Flank

包裝/箱

8-PowerVDFN

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 40V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V (1kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

68A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

616nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17400pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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