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NVMFD5C672NLT1G

NVMFD5C672NLT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C672NLT1G
PNEDA編號 NVMFD5C672NLT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C672NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C672NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5C672NLT1G, NVMFD5C672NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 138.48 KB)
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NVMFD5C672NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds793pF @ 25V
功率-最大3.1W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

445pF @ 15V

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2254pF @ 25V

功率-最大

156W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 30V

功率-最大

22W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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