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NVMFS4C01NWFT1G

NVMFS4C01NWFT1G

僅供參考

型號 NVMFS4C01NWFT1G
PNEDA編號 NVMFS4C01NWFT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS4C01NWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS4C01NWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS4C01NWFT1G, NVMFS4C01NWFT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 132.92 KB)
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NVMFS4C01NWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)49A (Ta), 319A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs139nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10144pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.84W (Ta), 161W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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制造商

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 253µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1345pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 102A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 65µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 68W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

175W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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