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NVMFS5C404NLWFAFT3G

NVMFS5C404NLWFAFT3G

僅供參考

型號 NVMFS5C404NLWFAFT3G
PNEDA編號 NVMFS5C404NLWFAFT3G
描述 MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C404NLWFAFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C404NLWFAFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NVMFS5C404NLWFAFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)370A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.67mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12168pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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制造商

IXYS

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™, PolarP2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

660W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-268

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

NVMFD6H852NLWFT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta), 25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

521pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

包裝/箱

8-PowerTDFN

IRFS7734PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

183A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI1473DH-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 2.78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70-6 (SOT-363)

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

最近成交

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

WSLP1206R0500FEA

WSLP1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 1206

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 28.63636MHZ 18PF SMD

SMCJ36CA

SMCJ36CA

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

MAX15303AA00+CM

MAX15303AA00+CM

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJUSTABLE 6A 40TQFN

MMSS8550-H-TP

MMSS8550-H-TP

Micro Commercial Co

TRANS PNP 25V 1.5A SOT23

1N5335BRLG

1N5335BRLG

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DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

MM3Z5V1ST1G

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

HSMS-285C-TR1G

HSMS-285C-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323

3314J-1-104E

3314J-1-104E

Bourns

TRIMMER 100KOHM 0.25W J LEAD TOP