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NVMFS5C442NAFT1G

NVMFS5C442NAFT1G

僅供參考

型號 NVMFS5C442NAFT1G
PNEDA編號 NVMFS5C442NAFT1G
描述 MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C442NAFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C442NAFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C442NAFT1G, NVMFS5C442NAFT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 181.4 KB)
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NVMFS5C442NAFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)29A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

637pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DFN2020MD-6

包裝/箱

6-UDFN Exposed Pad

FDR842P

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5350pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SuperSOT™-8

包裝/箱

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

520mW (Ta), 8.3W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1496pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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