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NVMFS5C442NLWFAFT3G

NVMFS5C442NLWFAFT3G

僅供參考

型號 NVMFS5C442NLWFAFT3G
PNEDA編號 NVMFS5C442NLWFAFT3G
描述 MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
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庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C442NLWFAFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C442NLWFAFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C442NLWFAFT3G, NVMFS5C442NLWFAFT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 179.78 KB)
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NVMFS5C442NLWFAFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)29A (Ta), 130A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

255nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

445W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DE475

包裝/箱

DE475

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

76pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

325mW (Ta), 1.275W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2567pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

134nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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