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NVMFS5C468NLAFT3G

NVMFS5C468NLAFT3G

僅供參考

型號 NVMFS5C468NLAFT3G
PNEDA編號 NVMFS5C468NLAFT3G
描述 MOSFET N-CH 40V 37A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C468NLAFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C468NLAFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C468NLAFT3G, NVMFS5C468NLAFT3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 135.23 KB)
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NVMFS5C468NLAFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta), 37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 44.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 2.96mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

290nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6530pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

481W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4068pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

820mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

530mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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