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NVMFS5C670NLT3G

NVMFS5C670NLT3G

僅供參考

型號 NVMFS5C670NLT3G
PNEDA編號 NVMFS5C670NLT3G
描述 MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C670NLT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C670NLT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C670NLT3G, NVMFS5C670NLT3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 133.13 KB)
PDFNVMFS5C670NLWFT3G數據表 封面
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NVMFS5C670NLT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Ta), 71A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.6W (Ta), 61W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 45µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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