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NVMFS6B14NLT3G

NVMFS6B14NLT3G

僅供參考

型號 NVMFS6B14NLT3G
PNEDA編號 NVMFS6B14NLT3G
描述 MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS6B14NLT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS6B14NLT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS6B14NLT3G, NVMFS6B14NLT3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 79.12 KB)
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NVMFS6B14NLT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1680pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 6V

FET功能

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功耗(最大值)

350mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.06nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

409pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.3pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3320pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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