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NVMFS6B75NLT3G

NVMFS6B75NLT3G

僅供參考

型號 NVMFS6B75NLT3G
PNEDA編號 NVMFS6B75NLT3G
描述 MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS6B75NLT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS6B75NLT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS6B75NLT3G, NVMFS6B75NLT3G數據表 (總頁數: 6, 大小: 78.98 KB)
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NVMFS6B75NLT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta), 28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.3nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 56W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 370µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3070pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

710mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

400nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

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FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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