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NVMJS1D0N04CTWG

NVMJS1D0N04CTWG

僅供參考

型號 NVMJS1D0N04CTWG
PNEDA編號 NVMJS1D0N04CTWG
描述 TRENCH 6 40V SL NFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMJS1D0N04CTWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMJS1D0N04CTWG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NVMJS1D0N04CTWG規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A (Ta), 300A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.92mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 190µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs86nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.9W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-LFPAK
包裝/箱8-PowerSMD, Gull Wing

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4820pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2760pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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