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NVMTS0D6N04CTXG

NVMTS0D6N04CTXG

僅供參考

型號 NVMTS0D6N04CTXG
PNEDA編號 NVMTS0D6N04CTXG
描述 T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMTS0D6N04CTXG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMTS0D6N04CTXG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMTS0D6N04CTXG, NVMTS0D6N04CTXG數據表 (總頁數: 7, 大小: 287.93 KB)
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NVMTS0D6N04CTXG規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)533A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.48mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs187nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11800pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-DFNW (8.3x8.4)
包裝/箱8-PowerTDFN

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.04mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

99nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9600pF @ 22.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

205W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2722pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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