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NVMYS010N04CLTWG

NVMYS010N04CLTWG

僅供參考

型號 NVMYS010N04CLTWG
PNEDA編號 NVMYS010N04CLTWG
描述 FET NCH 40V 38A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMYS010N04CLTWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMYS010N04CLTWG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NVMYS010N04CLTWG規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta), 38A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-LFPAK
包裝/箱SOT-1023, 4-LFPAK

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22Ohm @ 40mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.2pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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