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NX7002BKSX

NX7002BKSX

僅供參考

型號 NX7002BKSX
PNEDA編號 NX7002BKSX
描述 MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NX7002BKSX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NX7002BKSX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NX7002BKSX, NX7002BKSX數據表 (總頁數: 16, 大小: 726.74 KB)
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NX7002BKSX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)270mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23.6pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)310mW (Ta), 1.67W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSSOP
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 105A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

268nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 125µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1705pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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140nC @ 10V

Vgs(最大)

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