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NXPLQSC10650Q

NXPLQSC10650Q

僅供參考

型號 NXPLQSC10650Q
PNEDA編號 NXPLQSC10650Q
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 38,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPLQSC10650Q資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPLQSC10650Q
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPLQSC10650Q, NXPLQSC10650Q數據表 (總頁數: 10, 大小: 402.21 KB)
PDFNXPLQSC10650Q數據表 封面
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NXPLQSC10650Q規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.85V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr230µA @ 650V
電容@ Vr,F250pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

475mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

575pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

2pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

工作溫度-結點

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300V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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