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NXPSC06650XQ

NXPSC06650XQ

僅供參考

型號 NXPSC06650XQ
PNEDA編號 NXPSC06650XQ
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220F
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPSC06650XQ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPSC06650XQ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPSC06650XQ, NXPSC06650XQ數據表 (總頁數: 10, 大小: 281.66 KB)
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NXPSC06650XQ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 6A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 650V
電容@ Vr,F190pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝TO-220F
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 25A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.44V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 3200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

170pF @ 0V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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