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P600D/4

P600D/4

僅供參考

型號 P600D/4
PNEDA編號 P600D-4
描述 DIODE GEN PURP 200V 6A P600
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

P600D/4資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號P600D/4
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
P600D/4, P600D/4數據表 (總頁數: 4, 大小: 75.05 KB)
PDFP600D/4數據表 封面
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P600D/4規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱P600, Axial
供應商設備包裝P600
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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400V

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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