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PBRN113ET,215

PBRN113ET,215

僅供參考

型號 PBRN113ET,215
PNEDA編號 PBRN113ET-215
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBRN113ET資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBRN113ET,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PBRN113ET, PBRN113ET數據表 (總頁數: 17, 大小: 772.76 KB)
PDFPBRN113ES數據表 封面
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PBRN113ET規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)1 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 300mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.15V @ 8mA, 800mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

820 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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