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PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP,115

僅供參考

型號 PBSS5130PAP,115
PNEDA編號 PBSS5130PAP-115
描述 TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBSS5130PAP資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBSS5130PAP,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
PBSS5130PAP, PBSS5130PAP數據表 (總頁數: 17, 大小: 745.28 KB)
PDFPBSS5130PAP數據表 封面
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PBSS5130PAP規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic280mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce170 @ 500mA, 2V
功率-最大510mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-HUSON-EP (2x2)

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 3A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V, 15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA / 200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V / 50 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

450MHz, 1500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 325mA, 6.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 4A, 2V

功率-最大

2.3W

頻率-過渡

105MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

300mW

頻率-過渡

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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