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PC853XNNIP1H

PC853XNNIP1H

僅供參考

型號 PC853XNNIP1H
PNEDA編號 PC853XNNIP1H
描述 OPTOISO 5KV DARL W/BASE SMD
制造商 Sharp Microelectronics
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PC853XNNIP1H資源

品牌 Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PC853XNNIP1H
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出

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PC853XNNIP1H規格

制造商Sharp Microelectronics
系列PC853X
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
電流傳輸比(最小值)1000% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)15000% @ 1mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)100µs, 20µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)350V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)1.2V
工作溫度-30°C ~ 100°C
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

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160% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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2500Vrms

電流傳輸比(最小值)

-

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

-

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Photovoltaic, Linearized

電壓-輸出(最大值)

-

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

70% @ 50µA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

80µs, 72µs

輸入類型

DC

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Darlington

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

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