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PD85035STR-E

PD85035STR-E

僅供參考

型號 PD85035STR-E
PNEDA編號 PD85035STR-E
描述 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PD85035STR-E資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PD85035STR-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
PD85035STR-E, PD85035STR-E數據表 (總頁數: 16, 大小: 339.15 KB)
PDFPD85035S-E數據表 封面
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PD85035STR-E規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率870MHz
增益17dB
電壓-測試13.6V
額定電流(安培)8A
噪聲系數-
當前-測試350mA
功率-輸出15W
電壓-額定40V
包裝/箱PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
供應商設備包裝PowerSO-10RF (Straight Lead)

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增益

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電壓-測試

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噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

2dB

當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

14V

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晶體管類型

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頻率

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

50µA

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

130V

包裝/箱

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供應商設備包裝

M174

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

120W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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