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PDTA113ZU,115

PDTA113ZU,115

僅供參考

型號 PDTA113ZU,115
PNEDA編號 PDTA113ZU-115
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA113ZU資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA113ZU,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA113ZU, PDTA113ZU數據表 (總頁數: 19, 大小: 231.47 KB)
PDFPDTA113ZS數據表 封面
PDTA113ZS數據表 頁面 2 PDTA113ZS數據表 頁面 3 PDTA113ZS數據表 頁面 4 PDTA113ZS數據表 頁面 5 PDTA113ZS數據表 頁面 6 PDTA113ZS數據表 頁面 7 PDTA113ZS數據表 頁面 8 PDTA113ZS數據表 頁面 9 PDTA113ZS數據表 頁面 10 PDTA113ZS數據表 頁面 11

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PDTA113ZU規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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