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PDTC114EK,135

PDTC114EK,135

僅供參考

型號 PDTC114EK,135
PNEDA編號 PDTC114EK-135
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC114EK資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC114EK,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTC114EK, PDTC114EK數據表 (總頁數: 14, 大小: 93.77 KB)
PDFPDTC144ES數據表 封面
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PDTC114EK規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SMT3; MPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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電阻-基本(R1)

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