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PDTC114ET/DG/B2,21

PDTC114ET/DG/B2,21

僅供參考

型號 PDTC114ET/DG/B2,21
PNEDA編號 PDTC114ET-DG-B2-21
描述 TRANS RET TO-236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC114ET/DG/B2資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC114ET/DG/B2,21
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTC114ET/DG/B2, PDTC114ET/DG/B2數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,327.29 KB)
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PDTC114ET/DG/B2規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡230MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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