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PEMB13,115

PEMB13,115

僅供參考

型號 PEMB13,115
PNEDA編號 PEMB13-115
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMB13資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMB13,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMB13, PEMB13數據表 (總頁數: 15, 大小: 911.26 KB)
PDFPEMB13數據表 封面
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PEMB13規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-665

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

100MHz

功率-最大

1.5W

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PEMD14,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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