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PHN203,518

PHN203,518

僅供參考

型號 PHN203,518
PNEDA編號 PHN203-518
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHN203資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHN203,518
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PHN203, PHN203數據表 (總頁數: 13, 大小: 762.04 KB)
PDFPHN203數據表 封面
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PHN203規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds560pF @ 20V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

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