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PLZ6V8C-HG3/H

PLZ6V8C-HG3/H

僅供參考

型號 PLZ6V8C-HG3/H
PNEDA編號 PLZ6V8C-HG3-H
描述 DIODE ZENER 6.835V 960MW DO219AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PLZ6V8C-HG3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PLZ6V8C-HG3/H
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
PLZ6V8C-HG3/H, PLZ6V8C-HG3/H數據表 (總頁數: 9, 大小: 174.37 KB)
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PLZ6V8C-HG3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, PLZ
電壓-齊納(額定)(Vz)6.84V
公差±2.56%
功率-最大960mW
阻抗(最大值)(閽zt)8 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 3.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AC
供應商設備包裝DO-219AC (microSMF)

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 45.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

18V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

50 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 13V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

SOD-80 MiniMELF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 7.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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