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PMCM650VNE/S500Z

PMCM650VNE/S500Z

僅供參考

型號 PMCM650VNE/S500Z
PNEDA編號 PMCM650VNE-S500Z
描述 MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP
制造商 Nexperia
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庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMCM650VNE/S500Z資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMCM650VNE/S500Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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PMCM650VNE/S500Z規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1060pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)12.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WLCSP (1.48x.98)
包裝/箱6-XFBGA, WLCSP

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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