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PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ

僅供參考

型號 PMCXB900UEZ
PNEDA編號 PMCXB900UEZ
描述 MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 550,872
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMCXB900UEZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMCXB900UEZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMCXB900UEZ, PMCXB900UEZ數據表 (總頁數: 20, 大小: 789.66 KB)
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PMCXB900UEZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600mA, 500mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds21.3pF @ 10V
功率-最大265mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1010B-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

200mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

功率-最大

2W

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 4.5V

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