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PMDPB30XN,115

PMDPB30XN,115

僅供參考

型號 PMDPB30XN,115
PNEDA編號 PMDPB30XN-115
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMDPB30XN資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMDPB30XN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMDPB30XN, PMDPB30XN數據表 (總頁數: 13, 大小: 723.01 KB)
PDFPMDPB30XN數據表 封面
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PMDPB30XN規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 10V
功率-最大490mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-HUSON-EP (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

238mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

77pF @ 10V

功率-最大

1.25W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 15V

功率-最大

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.675nF @ 25V

功率-最大

1.4W

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

256pF @ 15V

功率-最大

485mW (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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